(퍼옴)CXMT 4F² 메모리 셀 아키텍처 적용한 DDR5 RDIMM 제품 연내 출시

중국의 CXMT가 새롭게 확보한 기술력을 바탕으로 삼성, SK하이닉스, 마이크론 등 이른바 메모리 반도체 '빅3' 기업을 거세게 위협하고 있음을 보여주는 사례가 또다시 전해졌습니다.
특히 이번 소식은 그 범위 면에서 상당히 야심 찬 내용을 담고 있는데, 차세대 '4F²' 메모리 셀 아키텍처 분야에서 CXMT가 삼성을 약 2년 앞서 추월하기 위한 준비에 박차를 가하고 있다는 점을 상세히 다루고 있습니다.
CXMT는 2026년 말까지 완전히 새로운 메모리 셀 아키텍처를 적용한 서버용 메모리 제품을 출시하겠다는 목표를 세운 반면, 삼성전자는 2028년에야 해당 신규 아키텍처 기반의 메모리 제품을 생산할 계획입니다.
실제로 CXMT의 차오 칸위(Cao Kanyu) 사장은 최근 상하이에서 열린 '제4회 통합 칩 및 칩렛 컨퍼런스(Integrated Chip and Chiplet Conference)'에서 차세대 4F² DRAM 아키텍처 개발 현황과 하이브리드 본딩(hybrid bonding) 등 혁신 기술에 대해 발표했습니다.
발표에서 Kanyu 박사는 CXMT가 2026년 말 이전에 4F² 메모리 셀 아키텍처 기반의 DDR5 RDIMM 제품을 출시할 것이라고 밝혔는데, 이는 삼성전자의 해당 아키텍처 도입 로드맵보다 약 2년 앞선 일정입니다.
참고로 RDIMM(Registered Dual In-Line Memory Module)은 CPU에서 들어오는 신호를 메모리 칩으로 전달하기 전 정확히 한 클럭 사이클 동안 유지하는 하드웨어 버퍼 역할을 합니다. 이를 통해 전기적 부하를 줄여주며, 서버 운영자가 단일 메인보드에 더 많은 수의 고용량 RAM 모듈을 장착할 수 있게 해 줍니다.
한편, 4F² 공정은 차세대 메모리 셀 아키텍처로, 단일 메모리 셀의 구성 요소(트랜지스터 1개와 커패시터 1개)를 수평이 아닌 수직으로 적층하는 방식입니다. 이러한 설계 변화를 통해 단일 메모리 셀이 차지하는 면적(풋프린트)은 '최소 선폭(F)의 제곱'의 4배(4 × F²)인 완벽한 정사각형 형태가 되며, 정확히 2개의 비트라인(bitline)과 2개의 워드라인(wordline)으로 구성됩니다. 여기서 비트라인과 워드라인은 각 메모리 셀 내의 트랜지스터를 구동하는 데 사용되는 배선 구조를 의미합니다. 구조를 4F² 방식으로 변경하는 것만으로도 DRAM 제조사는 각 IC의 셀 집적도를 30~50%까지 높일 수 있습니다.