삼성전자, 2028년 D램에 하이 NA EUV 적용… ASML과 협력 확대

삼성전자가 2028년 첨단 D램 생산에 차세대 노광 장비인 ‘하이(High) NA 극자외선(EUV)’을 적용한다. 삼성전자가 하이 NA EUV를 실제 D램 양산에 적용하는 것은 처음이다.
삼성전자는 네덜란드 반도체 장비업체 ASML과 2028년까지 첨단 D램 제조에 하이 NA EUV를 도입하기 위한 협력을 확대한다고 8일 밝혔다.
하이 NA EUV는 기존 EUV 장비보다 개구수(NA)를 높여 더 미세한 회로를 구현할 수 있는 차세대 노광 기술이다. 기존 EUV의 NA가 0.33인 데 비해 하이 NA EUV는 0.55다. 해상도가 높아지면서 기존 EUV에서 여러 차례 노광해야 하는 일부 공정을 줄일 수 있어 미세화와 공정 단순화에 유리하다.
삼성전자는 하이 NA EUV를 첨단 D램 양산 제품에 적용해 공정 조건과 수율, 생산성 등을 검증할 계획이다. 이를 통해 D램 미세화에 필요한 공정 기술을 확보하고 하이 NA EUV의 양산 적용 시점을 앞당긴다는 방침이다.
삼성전자, 2028년 D램에 하이 NA EUV 적용… ASML과 협력 확대n.news.naver.com삼성전자가 2028년 첨단 D램 생산에 차세대 노광 장비인 ‘하이(High) NA 극자외선(EUV)’을 적용한다. 삼성전자가 하이 NA EUV를 실제 D램 양산에 적용하는 것은 처음이다. 삼성전자는 네덜란드 반도체